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摘要
纳米压印是为应对半导体行业越来越高的芯片元件集成度而产生的高新技术,因其制造成本低、图形精确、生产率高等优势成为纳米领域的研究热点。残余层厚度作为大面积纳米压印光刻紫外固化工艺的重要参数,直接影响刻蚀工艺和基片的完整度。尝试通过改变旋涂转速和纳米压印胶的固体含量,来优化残余层厚度。通过实验与分析,给出了压印胶种类、转速及残余层厚度的优化方案,并且没有胶体收缩现象发生,为后续大面积复合纳米压印研究提供了工艺参数基础。
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单位大连东软信息学院; 电子工程学院
