SOI压阻式面内加速度传感器的交叉灵敏度

作者：袁本铸; 许煜; 贾琛

来源：微纳电子技术, 2019, 56(10): 822-827.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.10.009

• 绝缘衬底上硅(SOI)片
• 面内振动
• 压阻式传感器
• 加速度传感器
• 交叉灵敏度

设计了一种基于绝缘衬底上硅(SOI)片的面内振动压阻式加速度传感器,并针对其交叉灵敏度性能进行了研究,分析得出传感器的灵敏度与压阻微梁的轴向应力呈正比关系,并通过仿真说明该结构形式的加速度传感器具有非常低的交叉灵敏度,对检测方向的输出干扰非常小。进行了工艺加工和实验测试,实验结果表明,该面内振动的压阻式加速度传感器在20℃下,工作方向上的灵敏度为0.67 mV/g,而另外两个非工作方向(x轴和z轴)上的交叉灵敏度分别为7.3×10-4%和6.6×10-4%,对工作方向的加速度检测影响非常小,此结构的设计方法对于高性能的加速度传感器的研究具有重要的参考意义。

• 单位
  西安交通大学