多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究

作者：陈光炳; 张培健; 谭开洲

来源：微电子学, 2018, 48(04): 520-528.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180139

• 多晶硅发射极
• NPN管
• 辐照偏置
• 60Coγ射线
• 辐射损伤

为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著增大,而集电极电流IC变化不大;反偏偏置条件下,IB的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,IB有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。