In/Sb掺杂SnO_2纳米薄膜的H_2S气敏特性

作者：赵俊; 李冠娜; 周东祥; 郝永德

来源：仪表技术与传感器, 2009, (11): 1-3+10.

DOI：10.3969/j.issn.1002-1841.2009.11.001

• 气敏薄膜
• 二氧化锡
• 铟掺杂
• 硫化氢
• 溶胶-凝胶法

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法(Sol-Gel Dip-Coating,SGDC)制备SnO2纳米晶薄膜气敏传感器。较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏性能的影响。研究结果表明:铟的最佳掺杂量为4at%,最佳镀膜层数为7层,最佳热处理温度为600℃.气敏传感器最佳工作温度为165℃,在此工作温度下,薄膜的灵敏度分别为26.3(137 ppm H2S)和2.5(2.74 ppm H2S),薄膜的响应恢复时间较短分别为8 s和22 s,对H2S气体有较好的选择性。

• 单位
  华中科技大学