锡铅银填充TSV的热应力仿真

作者：韩志成; 淦华; 叶兰松; 肖锦星; 朱智源; 张洪泽; 郭靖^*

来源：西南大学学报(自然科学版), 2022, 44(08): 168-175.

DOI：10.13718/j.cnki.xdzk.2022.08.018

• 硅通孔
• 有限元
• 热应力
• 应变

为了降低三维集成微系统热应力，本文设计了一种基于锡铅银合金作为TSV的填充金属、 LTCC为基底的TSV芯片结构.基于此结构设计了4种不同TSV数量和分布的模型，模拟和分析TSV芯片在高温工作时，TSV数量和分布对TSV芯片热应力的影响.通过分析仿真结果，提出了降低TSV芯片热应力的设计建议.

• 单位
  中国人民解放军63850部队; 西南大学; 电子信息工程学院