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摘要
本发明涉及一种GaN异质结材料同质外延生长方法,主要解决现有氮化物异质结材料同质外延界面漏电及载流子输运特性差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、GaN缓冲层(3)、沟道层(4)、AlN插入层(5)、AlGaN帽层(6)、InAlGaN势垒层(7)和势垒保护层(8)。其中成核层、GaN缓冲层、沟道层、AlN插入层和AlGaN帽层均采用MOCVD工艺生长；InAlGaN势垒层和势垒保护层均采用采用MBE工艺生长。本发明避免了同质外延界面寄生漏电,减小了异质结材料的位错密度,提高了材料结构设计的自由度,且载流子输运特性好,生长工艺简单,可用于制备高电子迁移率晶体管和肖特基二极管。
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