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摘要
上转换纳米发光材料因发光效率普遍较低限制了其在应用领域的进一步发展。利用贵金属的局域表面等离子体共振特性调控发射体的局域场成为提高上转换纳米粒子发光性能的有效途径之一。在这个工作中，我们利用合成工艺简单的贵金属米状结构，通过调控上转换纳米颗粒周围的局域场，实现了上转换发光强度的大幅提高。结合三维有限元方法研究了在实际薄膜中Ag米之间可能出现的不同接触方式对所产生的局域场增强效果的影响，同时证实这种局域等离激元耦合所引起的电磁场增强是提高上转换发光性能的重要因素，并且获得了上转换发光将近百倍的增强效果。最后，通过调控等离子层和发光层的厚度，实现上转换发光性能的进一步优化。
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单位大连民族大学; 宁波工程学院
