Sb掺杂SrTiO3电子结构的第一性原理计算

作者：贠江妮; 张志勇; 邓周虎; 张富春

来源：半导体学报, 2006, 27(9): 1537-1542.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.09.004

• 第一性原理计算
• SrTiO3
• Sb掺杂
• 电子结构
• 透明导电薄膜

计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3(x=0,0.125,0.25,0.33)体系电子结构,分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响.所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:体系的导电性与掺杂浓度有关,Sb掺杂在母体化合物SrTiO3中引入了大量的传导电子,费米能级进入导带.当Sb掺杂浓度x=0.125时,体系显示金属型导电性.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.