单斜结构氧化钨电子性质的第一性原理研究

作者：孙霄霄

来源：科学技术创新, 2018, (04): 24-25.

• 第一性原理
• WO3
• 电子性质

利用第一性原理计算方法研究了单斜结构氧化钨的电子性质,计算表明,单斜结构氧化钨是窄带隙的间接带隙半导体,零压下的带隙为1.36 eV。W-O化学键是共价键和离子键的混合。

• 单位
  电子工程学院; 牡丹江师范学院