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摘要
针对TOF图像传感器转移效率不高的问题，利用Silvaco软件基于0.18μm CMOS工艺对传感器进行了建模和优化。通过电学和光学仿真，模拟了TOF图像传感器的复位、曝光等工作状态，探讨了曝光强度、曝光时间等对器件量子效率的影响。通过对模型进行防穿通注入工艺优化，很好地实现了钳位光电二极管和浮空节点的隔离。探讨了TOF中PPD的电荷快速转移优化，通过公式计算，获得改进后的优化模型，仿真结果证明其具有良好的转移速度和转移效率，平均转移时间节省近10倍，大大提高了电荷转移效率，为TOF图像传感器的优化和设计提供一个改进思路。
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