摘要
超宽禁带半导体在发展电了器件的性能方面具有巨大潜力.本文利用密度泛函理论和精确的屏蔽杂化泛函计算了两种不同相的NaYO2的电了和光学性质.电了结构计算结果表明,NaYO2的单斜相和三方相都表现为直接带隙,大小分别5.6 eV和5.4 eV,超越了公认的金刚石和GaN半导体材料,为半导体行业提供了一个物理上现实的材料平台.研究了NaYO2两相的光学性质,发现它们在红外和可见光区都是透明的.因此,NaYO2可被用作红外窗口材料.
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单位中国科学院; 中国科学技术大学