高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液

作者：荆建芬; 张建; 杨俊雅

来源：集成电路应用, 2018, 35(07): 49-52.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.013

• 集成电路制造
• 化学机械抛光
• 抛光液
• 铜化学机械抛液
• 碟形凹陷

随着集成电路技术节点的缩小,需要开发一种具有高去除速率低碟形凹陷的铜化学机械抛光液,而且对抛光后的残留,腐蚀和微划伤等表面缺陷的要求也更严格。这是一种具有优异性能的铜化学机械抛光液。研究了抛光液配方对抛光性能包括去除速率和轮廓,静态腐蚀速率,碟形凹陷,铜残留物的清除能力和铜腐蚀状况的影响。电化学方法也被用来研究和支持这些抛光结果和性能。通过优化配方和抛光工艺,该铜化学机械抛光液能在>0.9μm/min的去除速率下获得约300?的碟形凹陷。