摘要
铜锑硒(CuSbSe2)是一类适合于制备柔性太阳能电池的新型光伏材料。然而,由于相同温度下锑的饱和蒸气压远高于铜,导致在薄膜生长过程中极易生成杂相,高物相纯度的器件级CuSbSe2薄膜制备非常困难。本研究分别采用共蒸发沉积法和预制膜硒化法制备了物相纯度较高的CuSbSe2薄膜,通过微区物相分析揭示了CuSbSe2薄膜及杂相的生长机理,研究了CuSbSe2薄膜电学性质和能带性质,并以CuSbSe2薄膜为光吸收层制备出太阳能电池。研究了CuSbSe2薄膜太阳能电池的异质结性质,在此基础上优化制备工艺,获得了2.75%的光电转换效率。
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