以盐酸溶解粗制氢氧化钴样品，确定在5%盐酸介质中，用电感耦合等离子体发射光谱法测定粗制氢氧化钴中的硅。讨论了试样溶解、测定介质的选择、试样空白的控制、分析谱线的选择和共有元素的干扰等。采用实验方法对实际样品进行硅的测定，结果的相对标准偏差（RSD,N=9）不大于3%，该方法与氟硅酸钾容量法进行对比试验，硅的测定值吻合较好，能满足生产过程中粗制氢氧化钴中硅的测定。
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