BTA与表面活性剂O-20复配对铜CMP缓蚀行为的研究

作者：孟凡浩; 孙鸣^*; 周婉睛; 赵立仕

来源：应用化工, 2021, 50(11): 2968-2973.

DOI：10.16581/j.cnki.issn1671-3206.20211019.010

• 化学机械抛光(CMP)
• 电化学腐蚀
• Cu去除速率
• 缓蚀吸附
• 微粗糙度

通过电化学和化学机械抛光实验,研究了铜互连CMP中低浓度缓蚀剂BTA和非离子表面活性剂O-20复配对Cu电化学腐蚀及去除速率的影响,同时利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征了Cu表面形貌。电化学实验结果表明,在双氧水、甘氨酸体系下,0.5 mmol/L BTA与0.5 mmol/L O-20复配后,Cu表面腐蚀减少,其缓蚀效率动态条件下为59.58%,静态条件下为85.36%,相当于1mmol/L BTA的缓蚀效率。CMP实验结果表明,BTA与O-20复配后,Cu的去除速率为113 nm/min,表面微粗糙度降低,可达0.953 nm。使用低浓度BTA与O-20复配能抑制Cu表面腐蚀,降低Cu表面抛光后的微粗糙度,并且有利于CMP后清洗。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院