单层MoS_(2)薄膜的NaCl双辅助生长方法研究

作者：王奋陶; 樊腾; 张仕雄; 孙真昊; 付雷; 贾伟; 沈波; 唐宁

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 1-15.

• 二硫化钼
• 化学气相沉积
• 氯化钠双辅助作用
• 单层薄膜生长

以单层二硫化钼(MoS_(2))为代表的过渡金属硫族化合物(TMDCs)半导体材料具有良好的光学、电学性质，近十年来引起了人们广泛的研究兴趣。合成高质量单层MoS_(2)薄膜是科学研究及工业应用的基础。最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积(CVD)生长单层薄膜的方法，大大提高了单层MoS_(2)薄膜的生长速度及晶体质量。本文基于此方法，提出利用氯化钠(NaCl)的双辅助方法成功制备了高质量的单层MoS_(2)薄膜。光致发光(PL)谱显示其发光强度比无NaCl辅助生长的样品有了明显的提高。本文提出的NaCl双辅助生长方法为二维材料的大规模生长提供了思路。

• 单位
  太原理工大学; 北京大学; 人工微结构和介观物理国家重点实验室; 物理学院