AlGaN/GaN HEMT的恒压电应力退化研究

作者:张璐; 宁静*; 王东; 沈雪; 董建国; 张进成
来源:微电子学, 2020, 50(02): 276-280.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.190689

摘要

研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种AlGaN/GaN HEMT。对该器件分别采用恒压开态应力和恒压关态应力,研究了与直流特性相关的重要参数的陷阱产生规律。实验结果表明,在开态应力下,由于存在热载流子效应,发生了阈值电压正漂现象,峰值跨导降低;在关态应力下,由于存在逆压电效应,发生了阈值电压负向漂移现象。

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