InAs/GaSb Ⅱ类超晶格电学性能研究

作者：邢伟荣; 刘铭; 周朋; 周立庆

来源：激光与红外, 2019, 49(06): 725-727.

• InAs/GaSb
• Ⅱ类超晶格
• 电学性能
• 霍尔测试

为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。

• 单位
  华北光电技术研究所