用于PolyStrata技术的光刻工艺探索研究

作者：汪郁东; 赵广宏; 陈青松; 金小锋; 张姗

来源：遥测遥控, 2020, 41(06): 57-62.

DOI：10.13435/j.cnki.ttc.003106

• RF MEMS
• PolyStrata
• 紫外光刻
• 厚胶

在高集成的射频微机电系统RF MEMS(Radio Frequency Micro Electro Mechanical System)器件的发展趋势下,三维集成工艺的研究越来越多。基于PolyStrata技术的三维多层堆叠同轴器件以其无色散、低损耗、超宽带的优势脱颖而出,PolyStrata技术使用紫外厚胶作为牺牲材料,对光刻胶粘附性、精度、工艺兼容及释放性能要求高,常规厚胶难以满足。探索A、B两种紫外光刻厚胶,对两者工艺参数及图形质量进行对比研究。结果表明,光刻胶A厚度均匀性为98.6%,图形偏差小于10μm;光刻胶B图形偏差小于5μm,但均匀性较差,约80.4%。

• 单位
  北京遥测技术研究所