基于瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路保护策略

作者：刘平^*; 刘叶春; 苗轶如

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(04): 263-280.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.04.003

• 碳化硅
• 功率器件
• 短路保护
• 瞬时功耗
• 仿真验证

针对SiC MOSFET对短路电流的耐受能力较弱的问题，设计了一种短路检测策略以提高其运行可靠性。基于SiC MOSFET在正常运行及短路故障状态下的瞬时功耗差异可形成短路判据，设计了瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路检测方案和电路。仿真测试了其针对两种不同短路故障工况的监测性能，验证了提出的短路检测的有效性。结果表明提出的短路保护方法响应时间短，短路峰值电流小。

• 单位
  湖南大学