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摘要
本实用新型公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成,包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N-GaN层、量子阱层(MQW)、P型GaN层即P-GaN层；所述N-GaN层包括刻蚀露出的N-GaN层和刻蚀形成的N-GaN层。本实用新型保证器件调制带宽的同时提高了发光效率,同时ICP刻蚀微米孔阵列后,继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品,预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
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本实用新型公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成,包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N-GaN层、量子阱层(MQW)、P型GaN层即P-GaN层；所述N-GaN层包括刻蚀露出的N-GaN层和刻蚀形成的N-GaN层。本实用新型保证器件调制带宽的同时提高了发光效率,同时ICP刻蚀微米孔阵列后,继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品,预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
