<正>为保障自主可控,亟需加快突破第三代半导体高端原材料和装备瓶颈,助力我国半导体产业实现"弯道超车"近年来,以氮化镓、碳化硅等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料迅速发展,其适用于高温、高功率、高频以及高辐射等恶劣条件,已成为新一代信息技术、能源互联网、新能源汽车、国防安全的关键新材料,对节能减排、
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