离子液体中硅锗膜共沉积过程的反应特性

作者：于兆亮; 李忠跃; 李维岩; 李季; 孟祥东; 李海波

来源：吉林大学学报(理学版), 2014, 52(05): 1031-1034.

DOI：10.13413/j.cnki.jdxblxb.2014.05.32

• 离子液体
• 硅锗
• 共沉积
• 扫描速率
• 循环伏安

采用电沉积法,在[EMIm]Tf2N离子液体中选取恒电位制备SiGe膜.为考察SiGe在工作电极表面的反应特性,在[EMIm]Tf2N离子液体中测试不同扫描速率下的循环伏安(CV)曲线,并利用扫描电镜和能谱分析研究SiGe膜的表面形貌和组分.结果表明,[EMIm]Tf2N离子液体中SiGe的共沉积是受扩散控制的非可逆电极过程;在该离子液体中,SiGe共沉积的平均阴极传递系数α=0.175,扩散系数D0=6.64×10-7 m/s.

• 单位
  吉林大学; 吉林师范大学; 无机合成与制备化学国家重点实验室