TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究

作者：曲杨; 王欣洋; 周泉; 常玉春

来源：半导体光电, 2020, 41(02): 169-172.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.004

• 时间延时积分
• CMOS
• 光晕
• 横向抗晕栅
• 满阱容量

时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域。然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果。首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 大连理工大学