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摘要
<正>受限于半导体激光的低亮度特性，以半导体作为泵浦源的单路光纤激光输出功率在10 kW之后面临泵浦注入瓶颈，输出功率难以进一步提升。同带泵浦技术以高亮度光纤激光作为泵浦源，大幅提升了光纤可注入功率上限和激光输出潜力。由于镱离子对泵浦激光的吸收截面在波长1018 nm处比在976 nm处低一个数量级，为了达到相同吸收强度，需要提升镱离子的掺杂浓度，以避免过长光纤引起的严重受激拉曼散射(SRS)效应，同时还需要将光纤损耗控制在较低水平，
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<正>受限于半导体激光的低亮度特性，以半导体作为泵浦源的单路光纤激光输出功率在10 kW之后面临泵浦注入瓶颈，输出功率难以进一步提升。同带泵浦技术以高亮度光纤激光作为泵浦源，大幅提升了光纤可注入功率上限和激光输出潜力。由于镱离子对泵浦激光的吸收截面在波长1018 nm处比在976 nm处低一个数量级，为了达到相同吸收强度，需要提升镱离子的掺杂浓度，以避免过长光纤引起的严重受激拉曼散射(SRS)效应，同时还需要将光纤损耗控制在较低水平，
