AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)

作者：陆敏; 方慧智; 张国义

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (05): 492-496.

• AlGaN/GaN/InGaN
• MQW
• SCH AlGaN/GaN/InGaN
• SCH

采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm )为限制层

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室; 北京大学