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摘要
非晶态碳薄膜由于具有极低的二次电子发射系数（secondary electron yield， 简记为SEY），在真空微波器件与设备异常放电领域引起了广泛关注。然而，非晶态碳薄膜对二次电子发射影响的动态过程及微观机理仍缺乏了解。本文采用Monte Carlo方法，建立了Cu表面非晶态碳薄膜的二次电子发射数值模拟模型，能够精确模拟电子与薄膜及基底材料的散射及二次电子发射的微观物理过程。结果表明，随着薄膜厚度从0增加至1.5 nm时，SEY峰值下降了大约20%；继续增大厚度，SEY峰值不再下降。然而，当薄膜厚度大于0.9 nm时，SEY曲线呈现出双峰形态，但随着薄膜厚度增加至3 nm，第二峰逐渐减弱甚至消失。电子散射轨迹和二次电子能量分布结果表明这种双峰现象是由于电子在两种材料中散射所致。相比以往模型，所提模型考虑了功函数的变化以及界面势垒对电子散射路径的影响。该模型从微观层面上解释了SEY曲线双峰现象形成的原因，相关的计算结果为非晶态碳薄膜对SEY的抑制规律提供了理论预测。
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