摘要
本发明属于二维光电晶体管领域,公开提供了一种具有栅压调控光电转化效率的Bi-2O-2Se/MoTe-2异质结光电晶体管及其制备方法和应用。该光电晶体管包括SiO-2/Si衬底、Bi-2O-2Se/MoTe-2异质结和电极;先将Bi-2O-2Se纳米片转移到SiO-2/Si衬底,再将MoTe-2纳米片垂直堆叠到Bi-2O-2Se纳米片上,交叠部分形成Bi-2O-2Se/MoTe-2异质结,在异质结区域外制备金属粘附层/Au电极。本发明的光电晶体管具有1~8%的栅极调控光电转化效率,并在405~1310nm宽谱波段范围具有优异的自驱动光电性能,可用在太阳能电池、紫外-可见光-近红外成像和低功耗光电子器件领域。
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