静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究

作者：李明; 余学峰; 许发月; 李茂顺; 高博; 崔江维; 周东; 席善斌; 王飞

来源：原子能科学技术, 2012, 46(04): 507-512.

• 静态随机存储器
• 总剂量效应
• 功耗电流
• 退火效应 SRAM
• total dose effect
• power supply current
• annealing effect

通过比较1Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机制。结果表明:不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响;静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院新疆理化技术研究所