低功耗容软错误的65 nm CMOS 12管SRAM单元

作者：黄正峰; 吴明; 国欣祯; 戚昊琛; 易茂祥; 梁**; 倪天明; 欧阳一鸣; 鲁迎春

来源：微电子学, 2019, 49(06): 765-771.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190034

• 抗辐射加固设计
• 单粒子效应
• 软错误鲁棒性
• 双点翻转

提出了一种具有软错误自恢复能力的12管SRAM单元。该单元省去了专用的存取管,具有高鲁棒性、低功耗的优点。在65 nm CMOS工艺下,该结构能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转的比例是64.29%,与DICE加固单元相比,双点翻转率降低了30.96%。与DICE、Quatro等相关SRAM加固单元相比,该SRAM单元的读操作电流平均下降了77.91%,动态功耗平均下降了60.21%,静态电流平均下降了44.60%,亚阈值泄漏电流平均下降了27.49%,适用于低功耗场合。

• 单位
  安徽工程大学; 合肥工业大学