为解决现有晶体生长工艺成本高、耗时长的问题,实现半导体晶体的快速生长,本发明提供了一种超快速度生长晶体的方法及制备的半导体、半导体元件,所述方法为：取半导体化合物与半导体金属混合,并加热至熔融,以惰性气体为载气,在流动气体环境中生长晶体；所述半导体化合物含有半导体金属的金属元素。本发明采用半导体化合物与半导体金属混合熔融,利用半导体金属液化,辅助超快合成大尺寸高质量块体晶体,合成的晶体是宏观的块体晶体,且晶体尺寸达到厘米级,生长时间短。
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