一种无片外电容的快速响应FVF-LDO

作者：曲直; 曹海祥; 崔碧峰; 陈芬; 冯靖宇; 李晋恒

来源：微电子学, 2023, 53(04): 636-640.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220395

• 电源管理
• 低压差线性稳压器
• 无片外电容
• 快速瞬态响应

提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构，不需额外增加辅助电路，仅使用两个电容作为检测模块，以动态调整瞬态响应，能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明，该LDO的压差为200 mV,静态电流为36μA,输入电压范围为2～4 V,低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0～10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下，产生的上冲电压为50 mV,下冲电压为66 mV,瞬态电压恢复时间为300 ns。

• 单位
  北京工业大学