NH_3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征

作者：唐立丹; 张跃

来源：Acta Physica Sinica, 2008, (02): 1145-1149.

• p型ZnO
• Al N共掺杂
• 直流/射频共溅射 p-type ZnO
• Al N codoping
• RF/DC magnetron sputtering

采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优取向,并且薄膜表面平整,结构紧密,晶粒大小均匀,无明显空洞和裂缝,具有良好的表面质量,晶粒尺寸约为40—60nm,薄膜的导电类型由n型转变为p型.

• 单位
  新金属材料国家重点实验室; 北京科技大学