摘要
根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合。由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si—Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。
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单位材料科学与工程学院; 粉末冶金国家重点实验室; 中南大学