0.5 μm工艺的NMOS器件总剂量辐射效应研究

作者：夏春晖; 李建军; 范雪; 阳至瞻; 邹豪; 李威

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(05): 372-377.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.05.002

• 环形栅
• 总剂量
• 辐射效应
• 中带电压法

在国产某0.5μm CMOS工艺线上制备了高压环栅、高压直栅、低压环栅、低压直栅四种NMOSFET晶体管,并对其进行了钴60总剂量辐照实验,辐照剂量最高达11 000Gy(Si)。通过对比NMOSFET辐射前后的转移特性、阈值电压和截止漏电流等参数,研究了高压及低压NMOS晶体管对总剂量效应的敏感程度。通过中带电压法对器件受辐射产生的氧化层陷阱电荷和界面态电荷进行分离研究,对比了高压器件与低压器件的辐射效应。对比研究了环栅与直栅MOS器件的总剂量辐射效应,分析了环栅加固方式对该工艺下两种器件的加固效果。研究结果显示,高压器件因为与低压器件工艺流程的不同造成其对总剂量辐照更为敏感,同时环栅加固对高压器件的总剂量效应加固效果变弱。

• 单位
  电子工程学院; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 成都工业学院