工艺参数对SiO_2/S涂层形貌与结构的影响

作者：周建新; 徐宏; 马秋林; 戴玉林; 张莉

来源：真空科学与技术学报, 2009, (04): 346-350.

• 结焦
• 常压化学气相沉积
• SiO2/S涂层
• 工艺参数 Coke
• Atmospheric pressure chemical vapor deposition
• SiO2/S coating
• Process parameters

为了抑制乙烯裂解炉管内表面结焦,采用常压化学气相沉积方法在HP40试样上制备了SiO2/S涂层。用SEM和Raman光谱研究了沉积温度、源物质分压以及气体流速对SiO2/S涂层形貌和结构的影响。结果表明随着沉积温度的增加,涂层组成粒子直径变化不大,粒子之间的结合更为致密,同时生成的三节环Si-O-Si结构逐渐增多,Si-O-S结构逐渐减少。气体流速与源物质分压对涂层粒子形貌的影响规律相似,随着各自参数的增加,涂层粒子逐渐增大,涂层更加致密。源物质分压和气体流速分别为40Pa和0.4m.s-1时,涂层中含有较多Si-O-S和三节环Si-O-Si结构。

• 单位
  化学工程联合国家重点实验室; 华东理工大学