沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响

作者：于军; 王晓晶; 雷青松; 彭刚; 徐玮

来源：人工晶体学报, 2009, 38(03): 556-560.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.03.047

• 氢化纳米硅
• 磁控溅射
• 沉积压力
• 光学带隙

采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4~9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征。结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04~2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰,随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132~96Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低。

• 单位
  华中科技大学