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摘要
本发明公开了一种新型异质结构镁扩散制备常关型HEMT器件的方法。该方法包括：通过原子层沉积技术在Si基GaN外延片上生长AlN材料,光刻制备栅极窗口,采用热蒸发及剥离工艺在栅极区域沉积金属镁,热退火实现AlN材料的p型掺杂,在空气气氛下表面镁氧化实现氧化镁钝化层,制备源电极、漏电极及栅电极,得到所述常关型HEMT器件。该方法中镁扩散AlN/GaN异质结构新颖,AlN作为势垒层有利于提高二维电子气的浓度,提高器件饱和电流,实现AlN材料的p型掺杂有助于解决高Al组分化合物半导体掺杂困难的问题。该方法是新型的异质结构掺杂来实现常关型HEMT器件的方法,对于实现高性能的常关型HEMT器件有重要意义。
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