石英坩埚对大直径直拉硅单晶生长的影响

作者：莫宇; 张颖武; 韩焕鹏; 赵堃; 李明佳

来源：电子工艺技术, 2021, 42(01): 46-49.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2021.01.013

• 石英坩埚
• 无位错
• 直拉硅单晶
• 粗糙度
• 金属浓度

大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然石英砂的坩埚(NQC)。使用两种石英坩埚长时间生长大直径(350 mm)单晶后,通过金相显微镜对两种石英坩埚表面形态进行了观察,并使用粗糙度测试仪对其粗糙度进行了测试,同时使用ICP-MS测试了生长出的晶体的金属浓度。结果表明,使用NQC有较多杂质颗粒进入到硅熔体中,对单晶的无位错生长和单晶质量造成了影响,而使用SQC可减少杂质颗粒进入到硅熔体。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所