在共蒸发工艺中,克努森蒸发源经常被用来生长高质量Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。然而,在整个薄膜沉积过程中(尤其在低温工艺下),传统单加热克努森蒸发源不能使金属完全硒化,这可能是由蒸发源坩埚喷嘴处的冷凝和液滴喷射现象造成的。本文将通过热力学分析解释这一现象,同时提出了一种新型单加热克努森蒸发源来解决这一问题。与传统低温快速沉积工艺相比,新型单加热蒸发源提高了薄膜质量,并在230 nm·min–1的生长速率下,将器件相对效率提高了29%。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
