利用氢化物气相外延方法制备了Fe掺杂GaN单晶。材料发光特性随掺杂浓度、温度和激发功率的变化规律表明,位于蓝光波段的发光与掺杂的Fe离子有关。随着Fe掺杂浓度的增加,红外波段发光强度将被抑制,而蓝光波段发光强度显著增加。在较高位错密度样品中,相比于蓝光,红外发光强度显著增加。掺杂样品的光致激发光谱进一步说明了Fe离子相关的红外和蓝光发光能级跃迁特征及过程。结果表明GaN中的本征缺陷结构以及位错对Fe相关能级跃迁具有重要影响。
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