电纺掩模制备铜纳米线网络透明电极

作者:翟艳玉; 孙钦军*; 李丽娟; 郝玉英*
来源:微纳电子技术, 2021, 58(06): 531-538.
DOI:10.13250/j.cnki.wndz.2021.06.011

摘要

通过真空蒸镀技术、静电纺丝技术和湿法腐蚀法成功制备出铜纳米线网络透明电极。首先优化纺丝条件,制备出均匀的聚丙烯腈(PAN)纳米纤维,然后将PAN纳米纤维作为掩模腐蚀铜膜得到铜纳米线网络透明电极。通过对纺丝时间、纺丝接收取向、蒸气处理时间和湿法腐蚀时间等制备条件进行优化,得到表面光滑连续、形貌良好的铜纳米线网络透明电极。利用紫外-可见分光光度计、光学显微镜、表面低电阻测试仪和扫描电子显微镜(SEM)等测试仪器对透明电极的性能进行了分析和讨论。研究发现:纺丝1 min、交叉接收PAN纳米纤维、蒸气处理30 s和湿法腐蚀6 min时得到的铜纳米线网络透明电极表面光滑、连续均匀,长径比高于2.25×104,铜纳米线网络透明电极透射率约为80%,平均方块电阻为21.72Ω/。结果表明:电纺掩模制备的铜纳米线网络透明电极的光电性能已接近铟锡氧化物(ITO)透明电极,推动了金属纳米线透明电极在未来光电子器件中的广泛应用。

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