Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展

作者：徐建

来源：科技视界, 2017, (17): 68-69.

DOI：10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2017.17.033

• 传统稀磁半导体
• Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体
• 研究进展

Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体实现了电荷和自旋注入的分离调控,成为半导体领域的研究热点。本文从传统稀磁半导体出发,详述Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展,并对今后发展进行了展望。

• 单位
  电子工程学院; 重庆师范大学