Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文)

作者：唐宁; 沈波; 王茂俊; 杨志坚; 徐科; 张国义; 桂永胜; 朱博; 郭少令; 褚君浩

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (02): 235-238.

• Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构
• 二维电子气
• 输运性质 Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructure
• two-dimensional electron gas
• transport property

在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.

• 单位
  物理学院; 人工微结构和介观物理国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所; 北京大学; 红外物理国家重点实验室