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摘要
本发明公开了一种静态随机存取存储器,该存储器包括上拉晶体管、传输晶体管及下拉晶体管。其中上拉晶体管和传输晶体管包括沟道、设置在沟道两侧的源端和漏端、设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极,设置在控制栅极与源端之间的电学隔离的边墙；下拉晶体管包括沟道、设置在沟道两侧的源端和漏端、设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极,设置在控制栅极与漏端之间的电学隔离的边墙。本发明利用非对称型可重构场效应晶体管结构上的差异,来达到导通电流的不一致,实现了静态随机存储单元所需的较高读取静态噪声容限和写入能力,有效的提高了静态随机存储单元的读写稳定性,同时进一步提高了静态存储电路的性能。
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