一种晶态相变电阻补偿的带隙基准电压源的设计

作者：潘国昌; 李喜; 何璐昌; 徐思秋; 吴青玉; 陈后鹏; 宋志棠

来源：集成电路应用, 2023, 40(11): 18-21.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.11.008

• 集成电路设计
• 带隙基准
• 晶态相变电阻
• 低功耗
• 低温漂

阐述一种基于晶态相变电阻补偿的带隙基准电压源设计，该设计使用Verilog-A建立晶态相变电阻模型，利用其负温度系数特性作为补偿降低基准电压的温漂系数，并加入PSRR提升电路，优化了基准电路的电源抑制比。设计采用SMIC 40nm CMOS工艺模型仿真，结果表明，当电源电压在2.5～5V范围内变化时，基准电压变化仅为65.5μV；工作电压为3.3V，温度范围为-40～85℃时，基准电压的温度系数为4.93ppm/℃；在温度为27℃时，工作电流为9.4μA；低频下电源抑制比为-97dB。

• 单位
  中国科学技术大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所