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摘要
利用CGSim软件对定向凝固多晶硅从长晶过程开始到退火过程结束进行瞬态数值模拟，研究不同退火温度和退火时间对多晶硅锭内热应力及位错密度的影响。通过软件中热弹性应力非稳态模型（Haasen-Alexander-Sumino模型）计算出位错和Von-Mises应力。结果表明：随着退火温度的升高和退火时间的增加，热应力及位错增殖速率的逐渐减小，在退火1 h后热应力和位错增殖速率大幅减小，退火3 h后减小效果减弱。高温退火时热应力和位错密度低于低温退火，在1250℃下退火3 h是比较合适的方案。
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