<正>中国科技大学研究团队与其合作者在国际上首次发现了硅基自旋量子比特弛豫的强各向异性:通过改变外加磁场与硅片晶向的相对方向,可以将自旋量子比特寿命提高两个数量级以上。硅基自旋量子比特以其超长的量子退相干时间,以及与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性,成为量子计算研究的核心方向之一。近几年,基于硅平面晶体管(Si MOS)和
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