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摘要
采用基于同步辐射技术的X射线光电子能谱(XPS)与X射线吸收谱(XAS)测试由金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的不同Mn掺杂浓度的稀磁半导体GaMnN薄膜的电子结构，探究Mn掺杂浓度对磁性原子Mn周围的局域环境和电子态等方面的影响，并阐述材料铁磁性变化的机理. XPS和XAS图谱分析表明：Mn2+和Mn3+共存于薄膜样品内，样品D中Mn2+占比高达70%-80%,N空位随Mn掺杂浓度增加而增多且N空位能够使空穴浓度降低，导致Mn 3d和N 2p轨道间的相互交换作用减小，从而减弱体系铁磁性.此外，Mn不同的掺杂浓度会影响GaMnN薄膜p-d耦合杂化能力的强弱，当掺Mn 1.8%时具有较强的p-d耦合杂化能力.
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