应用Ti掺杂提高VO₂薄膜太阳光红外能量调制能力

作者：曾蓝萱; 李慧; 戚家华; 刘毅; 叶凡; 蔡兴民; 范平; 张东平

来源：安庆师范大学学报(自然科学版), 2022, 28(01): 35-42.

DOI：10.13757/j.cnki.cn34-1328/n.2022.01.012

• 二氧化钒
• Ti掺杂
• 相变
• 红外调制率

二氧化钒薄膜独特的半导体-金属相变特性使其在智能窗等领域有着广阔的应用前景。该研究采用直流反应共溅射技术沉积二氧化钒薄膜，通过调节Ti靶的放电电流，实现了VO2薄膜不同量的Ti掺杂。并用X射线衍射仪、微区拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、分光光度计与四探针测量系统对样品微结构及相变特性进行表征，分析不同Ti掺杂量对VO2薄膜微结构、表面形貌、相变温度、红外调制率的影响。研究结果表明，在Ti靶15 mA放电电流下掺杂的样品，太阳能调制能力有明显提高，达13.8%，但是过高的Ti掺杂则会使VO2薄膜相变性能弱化甚至消失。